Nexperia, una empresa líder en semiconductores, ha anunciado una inversión significativa de $200 millones (aproximadamente €184 millones) para desarrollar productos semiconductores de nueva generación a base de ancho de banda (WBG), incluyendo carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN). Esta iniciativa también establecerá una infraestructura de producción en su instalación de Hamburgo, coincidiendo con el 100º aniversario de la fábrica, en colaboración con la Dra. Melanie Leonhard, Ministra de Asuntos Económicos de Hamburgo.
En respuesta a la creciente demanda de semiconductores de potencia eficientes, Nexperia planea iniciar el desarrollo y producción de tecnologías SiC, GaN y silicio (Si) en Alemania a partir de junio de 2024. Este movimiento estratégico resalta el compromiso de la compañía con tecnologías clave en los ámbitos de electrificación y digitalización. Los semiconductores SiC y GaN son fundamentales en aplicaciones de alta potencia, como centros de datos, y son componentes esenciales en tecnologías de energías renovables y vehículos eléctricos. Estas tecnologías de ancho de banda son cruciales para alcanzar los objetivos de descarbonización.
Achim Kempe, Director de Operaciones de Nexperia Alemania, expresó: “Esta inversión solidifica nuestra posición como proveedor líder de semiconductores energéticamente eficientes, permitiéndonos utilizar la energía eléctrica de manera más efectiva. Nuestra instalación en Hamburgo ofrecerá una gama completa de semiconductores WBG, manteniendo nuestro estatus como un destacado fabricante de diodos y transistores de señal pequeña. Seguiremos produciendo semiconductores de alta calidad y costo eficiente para aplicaciones estándar y de alta potencia, atendiendo la creciente demanda energética y los desafíos ambientales”.
Las líneas de producción para transistores GaN D-Mode de alta tensión y diodos SiC comenzarán operaciones en junio de 2024. Un hito clave será el establecimiento de una moderna línea de producción de MOSFET SiC de 200 mm y HEMT GaN de bajo voltaje, que se espera completar en los próximos dos años. Además, esta inversión impulsará la automatización en la instalación de Hamburgo y expandirá la capacidad de producción de silicio mediante el uso gradual de obleas de 200 mm. También se planifica un nuevo laboratorio de investigación y desarrollo para garantizar una transición fluida de la investigación a la producción.
Se anticipa que la inversión de Nexperia beneficiará a la economía local al salvaguardar y crear empleos, al tiempo que mejorará la autosuficiencia de semiconductores de la UE. La empresa colabora estrechamente con universidades e instituciones de investigación para compartir conocimientos y fomentar la formación de empleados capacitados. Nexperia ha construido un robusto ecosistema de investigación en Hamburgo y en toda Europa, especialmente a través de su asociación con el centro de investigación en nanoelectrónica IMEC, asegurando una innovación continua en productos y liderazgo tecnológico en tecnología GaN.
Stefan Tilger, Director Financiero de Nexperia Alemania, comentó: “Esta inversión nos permitirá diseñar y producir chips de ancho de banda en Hamburgo. Desde 2019, nuestra cartera de productos incluye FETs GaN, y en 2023, ampliamos nuestra oferta con diodos SiC y MOSFET SiC en colaboración con Mitsubishi Electric. Nexperia es uno de los pocos proveedores capaces de ofrecer una gama integral de tecnologías de semiconductores para satisfacer diversas necesidades de los clientes”.
Esta inversión representa un hito significativo en la historia centenaria de la instalación Lokstedt de Nexperia en Hamburgo. Desde su establecimiento como Valvo Radioröhrenfabrik en 1924, la fábrica ha evolucionado para satisfacer aproximadamente una cuarta parte de la demanda global de diodos y transistores de señal pequeña. Desde la separación de Nexperia de NXP en 2017, la empresa ha realizado inversiones sustanciales en el sitio de Hamburgo, aumentando la fuerza laboral de 950 a alrededor de 1,600 y modernizando la infraestructura tecnológica a estándares de última generación, reflejando su compromiso de mantener el liderazgo en la industria y ofrecer soluciones innovadoras a clientes globales.
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