안시 반도체, 차세대 와이드 밴드갭 반도체 기술을 위해 함부르크에 2억 달러 투자

넥스페리아(Nexperia)는 차세대 광대역 갭(WBG) 반도체 제품, 즉 실리콘 카바이드(SiC)와 갈륨 나이트라이드(GaN)를 개발하기 위해 약 2억 달러(약 1억 8400만 유로)의 대규모 투자를 발표했습니다. 이 프로젝트는 함부르크 시설에 생산 인프라를 구축하고, 함부르크 경제부 장관인 드. 멜라니 레온하르트(Dr. Melanie Leonhard)와 협력하여 공장의 100주년 기념과 맞물려 진행됩니다.

효율적인 전력 반도체에 대한 수요 증가에 대응하여, 넥스페리아는 2024년 6월부터 독일에서 SiC, GaN 및 실리콘 기술의 개발과 생산을 시작할 계획입니다. 이번 전략적 결정은 전력화 및 디지털화 분야의 핵심 기술에 대한 기업의 의지를 잘 보여줍니다. SiC와 GaN 반도체는 데이터 센터와 같은 고전력 응용 분야에서 중요한 역할을 하며, 재생 가능 에너지와 전기차 기술에서도 필수 요소입니다. 이러한 광대역 갭 기술은 탈 탄소화 목표 달성에 매우 중요합니다.

넥스페리아 독일의 COO인 아힘 켐페(Achim Kempe)는 “이번 투자를 통해 에너지 효율적인 반도체의 선도 공급자로서의 입지를 더욱 공고히 하고, 전기를 보다 효과적으로 이용할 수 있게 됩니다. 함부르크 시설에서는 광대역 갭 반도체의 완벽한 라인업을 제공하면서 소신호 다이오드 및 트랜지스터의 최고 제조 업체로서의 지위를 유지할 것입니다. 우리는 표준 및 고전력 응용 분야에 대해 고품질의 비용 효율적인 반도체 생산을 지속하며, 증가하는 에너지 수요와 환경 문제에 대응할 것입니다.”라고 밝혔습니다.

고전압 D-모드 GaN 트랜지스터와 SiC 다이오드를 위한 생산 라인은 2024년 6월 운영을 시작할 예정입니다. 중요한 이정표로는 현대적인 200mm SiC MOSFET 및 저전압 GaN HEMT 생산 라인의 구축이 있으며, 이는 향후 2년 내에 완료될 예정입니다. 추가적으로 이번 투자는 함부르크 시설의 자동화를 진전시키고, 200mm 웨이퍼를 점진적으로 도입하여 실리콘 생산 능력을 확장하는 데 기여할 것입니다. 연구 개발의 원활한 전환을 보장하기 위해 새로운 연구 개발 실험실도 마련 중입니다.

넥스페리아의 이 투자는 지역 경제에 긍정적인 영향을 미치고 일자리를 보호 및 창출하며, EU의 반도체 자립성을 향상시킬 것으로 기대됩니다. 이 회사는 대학 및 연구 기관과 긴밀히 협력하여 전문 지식을 공유하고 숙련된 인력을 양성하는 데 힘쓰고 있습니다. 넥스페리아는 함부르크 및 유럽 전역에 걸쳐 강력한 연구 생태계를 구축했으며, 특히 IMEC 나노 전자 연구 센터와의 협력을 통해 GaN 기술의 지속적인 제품 혁신과 기술적 우위를 확보하고 있습니다.

넥스페리아 독일의 CFO인 스테판 틸거(Stefan Tilger)는 “이번 투자를 통해 함부르크에서 광대역 갭 칩을 설계하고 생산할 수 있게 됩니다. 2019년부터 우리의 제품 포트폴리오에는 GaN FET가 포함되어 있으며, 2023년에는 미츠비시 전기와 협력하여 SiC 다이오드와 SiC MOSFET을 추가했습니다. 넥스페리아는 다양한 고객의 요구를 충족할 수 있는 포괄적인 반도체 기술을 제공할 수 있는 몇 안 되는 공급업체 중 하나입니다.”라고 언급했습니다.

이번 투자는 넥스페리아 함부르크 록스테드 공장 100년 역사에서 중요한 이정표가 됩니다. 공장은 1924년 발보 라디오튜브 공장(Valvo Radioröhrenfabrik)으로 설립되었으며, 현재는 세계 소신호 다이오드 및 트랜지스터 수요의 약 1/4을 지원하고 있습니다. 넥스페리아가 2017년 NXP로부터 분사한 이후, 회사는 함부르크 사이트에 상당한 투자를 진행하여 직원 수를 950명에서 약 1,600명으로 늘리고, 기술 인프라를 최첨단 기준으로 업그레이드하여 산업 리더십을 유지하고 전 세계 고객에게 혁신적인 솔루션을 제공하겠다는 의지를 반영하고 있습니다.