Samsung Inicia la Producción Masiva de Chips de Memoria para Aplicaciones de IA en Dispositivos

En respuesta a la creciente demanda de inteligencia artificial en dispositivos, Samsung Electronics ha iniciado la producción en masa de los chips de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de bajo consumo más delgados de la industria.

Samsung está fabricando paquetes de DRAM LPDDR5X de 12 gigabytes (GB) y 16GB en tecnología de 12 nanómetros (nm). Estos dispositivos ultra-delgados, comparables en grosor a una uña, ilustran cómo la inteligencia artificial está influyendo en la evolución de la electrónica.

Al aprovechar su avanzada experiencia en empaquetado de chips, Samsung ofrece paquetes de DRAM LPDDR5X que crean espacio adicional dentro de los dispositivos móviles, mejorando el flujo de aire y facilitando una mejor gestión térmica. Esto es especialmente crucial para aplicaciones de alto rendimiento que incorporan inteligencia artificial en el dispositivo.

"El DRAM LPDDR5X de Samsung establece un nuevo estándar para soluciones de inteligencia artificial de alto rendimiento en dispositivos, ofreciendo no solo un rendimiento LPDDR superior, sino también una gestión térmica avanzada en un paquete ultra compacto", afirmó YongCheol Bae, VP ejecutivo de planificación de productos de memoria en Samsung Electronics. "Estamos comprometidos con la innovación continua a través de una estrecha colaboración con nuestros clientes, ofreciendo soluciones que satisfacen las demandas futuras en el mercado de DRAM de bajo consumo".

Los nuevos paquetes de DRAM LPDDR5X representan los DRAM LPDDR de 12 nm más delgados de la industria en una estructura de 4 capas, logrando una reducción de grosor de aproximadamente el 9% y mejorando la resistencia al calor en aproximadamente un 21.2% en comparación con generaciones anteriores.

Los nuevos chips de memoria LPDDR5X de Samsung miden solo 0.65 milímetros (mm) de grosor, siendo los más delgados disponibles para capacidades de 12GB o mayores. Las innovaciones en el diseño de placas de circuitos impresos (PCB) y técnicas de compuesto de moldeo de epoxi (EMC) contribuyen a este notable factor de forma. Además, el proceso optimizado de sub-conexión de Samsung minimiza la altura del paquete, asegurando un perfil aerodinámico.

De cara al futuro, Samsung tiene como objetivo expandir su mercado de DRAM de bajo consumo al abastecer con DRAM LPDDR5X de 0.65mm a fabricantes de procesadores móviles y fabricantes de dispositivos. A medida que aumenta la demanda de soluciones de memoria móvil de alto rendimiento y alta densidad en tamaños de paquete más pequeños, la compañía planea desarrollar módulos de 24GB en 6 capas y 32GB en 8 capas, empujando aún más los límites de la miniaturización de DRAM LPDDR para dispositivos futuros.