Nexperia, une entreprise leader dans le secteur des semi-conducteurs, a annoncé un investissement majeur de 200 millions de dollars (environ 184 millions d'euros) pour le développement de produits semi-conducteurs de nouvelle génération à large bande interdite (WBG), incluant le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN). Cette initiative coïncide avec le centenaire de l'usine de Hambourg et se réalise en collaboration avec Dr. Melanie Leonhard, la ministre des Affaires économiques de Hambourg.
Face à la demande croissante pour des semi-conducteurs de puissance efficaces, Nexperia prévoit de commencer le développement et la production des technologies SiC, GaN et silicium (Si) en Allemagne dès juin 2024. Ce mouvement stratégique souligne l’engagement de l'entreprise envers des technologies clés dans les domaines de l'électrification et de la digitalisation. Les semi-conducteurs SiC et GaN sont essentiels dans les applications de haute puissance telles que les centres de données, ainsi que dans les technologies des énergies renouvelables et des véhicules électriques. Ces technologies à large bande interdite sont cruciales pour atteindre les objectifs de décarbonisation.
Achim Kempe, directeur des opérations de Nexperia Allemagne, a déclaré : « Cet investissement renforce notre position de fournisseur leader de semi-conducteurs écoénergétiques, nous permettant d'utiliser l'énergie électrique de manière plus efficace. Notre équipement à Hambourg proposera une gamme complète de semi-conducteurs à large bande interdite tout en conservant notre statut de fabricant de diodes et de transistors à petit signal. Nous continuerons de produire des semi-conducteurs de haute qualité et à coût maîtrisé pour des applications standards et de haute puissance, répondant ainsi à la demande énergétique croissante et aux défis environnementaux. »
Les lignes de production pour les transistors GaN à D-Mode haute tension et les diodes SiC devraient commencer leurs opérations en juin 2024. Un jalon clé sera la mise en place d'une ligne de production moderne de MOSFET SiC de 200 mm et de HEMT GaN basse tension, prévue d’ici deux ans. De plus, cet investissement avancera l'automatisation de l'usine de Hambourg et augmentera la capacité de production de silicium grâce à l'utilisation progressive de wafers de 200 mm. Un nouveau laboratoire de recherche et développement est aussi prévu pour assurer une transition fluide entre recherche et production.
L'investissement de Nexperia devrait bénéficier à l'économie locale en préservant et créant des emplois, tout en renforçant l'autonomie de l'UE en matière de semi-conducteurs. L'entreprise collabore étroitement avec des universités et des institutions de recherche pour partager son expertise et promouvoir la formation de talents qualifiés. Nexperia a construit un écosystème de recherche robuste à Hambourg et à travers l'Europe, notamment grâce à son partenariat avec le centre de recherche en nanoélectronique IMEC, garantissant une innovation continue des produits et un leadership technologique dans la technologie GaN.
Stefan Tilger, directeur financier de Nexperia Allemagne, a commenté : « Cet investissement nous permettra de concevoir et de produire des puces à large bande interdite à Hambourg. Depuis 2019, notre portefeuille de produits comprend des FET GaN, et en 2023, nous avons élargi notre offre avec des diodes SiC et des MOSFET SiC en collaboration avec Mitsubishi Electric. Nexperia est l'un des rares fournisseurs capables de proposer une gamme complète de technologies semi-conducteurs pour répondre à des besoins clients variés. »
Cet investissement constitue une étape importante dans l'histoire centenaire de l'usine de Lokstedt à Hambourg. Depuis sa fondation en tant que Valvo Radioröhrenfabrik en 1924, l'usine a évolué pour soutenir environ un quart de la demande mondiale de diodes et de transistors à petit signal. Depuis le spin-off de Nexperia de NXP en 2017, l'entreprise a considérablement investi à Hambourg, augmentant ses effectifs de 950 à environ 1 600 employés et modernisant ses infrastructures technologiques pour maintenir sa position de leader dans l'industrie et offrir des solutions innovantes à ses clients mondiaux.
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