Anshi Semiconductor инвестирует 200 миллионов долларов в Гамбурге для разработки технологий полупроводников на основе широкого запрещенного пояса следующего поколения.

Nexperia, ведущая полупроводниковая компания, объявила о значительных инвестициях в размере 200 миллионов долларов (примерно 184 миллиона евро) для разработки полупроводниковых продуктов нового поколения на основе широкозонных технологий (WBG), включая карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Эта инициатива также создаст производственную инфраструктуру на заводе в Гамбурге, что совпадает с 100-летием фабрики, в сотрудничестве с доктором Мелани Леонгард, министром экономики Гамбурга.

В ответ на растущий спрос на эффективные силовые полупроводники Nexperia планирует начать разработку и производство технологий SiC, GaN и кремния (Si) в Германии с июня 2024 года. Этот стратегический шаг подчеркивает приверженность компании ключевым технологиям в области электрофикации и цифровизации. Полупроводники SiC и GaN играют важную роль в высокомощных приложениях, таких как центры обработки данных, а также являются необходимыми компонентами в возобновляемых энергетических и электрических транспортных технологиях. Эти широкозонные технологии жизненно важны для достижения целей по декарбонизации.

Аким Кемпе, операционный директор Nexperia Germany, отметил: "Эти инвестиции укрепляют нашу позицию в качестве ведущего поставщика энергоэффективных полупроводников, позволяя более эффективно использовать электрическую энергию. Наш завод в Гамбурге предложит полный ассортимент широкозонных полупроводников, сохранив наш статус топового производителя малосигнальных диодов и транзисторов. Мы продолжим производить высококачественные и выгодные по цене полупроводники для стандартных и высокомощных приложений, ответив на растущий спрос на энергию и экологические вызовы."

Производственные линии для высоковольтных транзисторов D-Mode GaN и диодов SiC начнут работу в июне 2024 года. Важным этапом станет создание современного производственного процесса для MOSFET на основе SiC и низковольтных HEMT на основе GaN, который планируется завершить в течение ближайших двух лет. Кроме того, эти инвестиции улучшат автоматизацию на заводе в Гамбурге и расширят производственные мощности кремния за счет поэтапного использования 200-мм подложек. Также ведется работа над созданием новой научно-исследовательской лаборатории для обеспечения плавного перехода от исследования к производству.

Ожидается, что инвестиции Nexperia принесут пользу местной экономике, сохраняя и создавая рабочие места, а также увеличивая самодостаточность полупроводниковой отрасли ЕС. Компания активно сотрудничает с университетами и исследовательскими учреждениями для обмена опытом и подготовки квалифицированных специалистов. Nexperia создала прочную исследовательскую экосистему в Гамбурге и по всей Европе, особенно благодаря партнерству с исследовательским центром IMEC в области наноэлектроники, что обеспечивает постоянные инновации в продуктах и технологическое лидерство в области GaN.

Штефан Тильгер, финансовый директор Nexperia Germany, добавил: "Эти инвестиции позволят нам разрабатывать и производить чипы на основе широкозонных технологий в Гамбурге. С 2019 года наш портфель продуктов включает GaN FET, а в 2023 году мы расширили наше предложение диодами SiC и MOSFET SiC в сотрудничестве с Mitsubishi Electric. Nexperia — один из немногих поставщиков, способных предложить полный ассортимент полупроводниковых технологий для удовлетворения различных потребностей клиентов."

Эти инвестиции представляют собой значительное событие в столетней истории завода Nexperia в Локштедте, Гамбург. С момента его основания как Valvo Radioröhrenfabrik в 1924 году, завод стал важным игроком, поддерживая примерно кварту мирового спроса на малосигнальные диоды и транзисторы. С момента выхода Nexperia из NXP в 2017 году компания инвестировала значительные средства в гамбургский сайт, увеличив штат с 950 до около 1600 сотрудников и обновив технологическую инфраструктуру до современных стандартов, что отражает ее приверженность поддержанию лидерства в отрасли и предоставлению инновационных решений глобальным клиентам.