安世半导体斥资2亿美元在汉堡投资下一代宽带隙半导体技术

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Nexperia，一家领先的半导体公司，宣布投资2亿美元（约合1.84亿欧元）以开发下一代宽带隙（WBG）半导体产品，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。该投资将用于在汉堡工厂建立生产基础设施，恰逢工厂百年庆典，并与汉堡经济事务部长梅拉妮·利昂哈德博士合作。

为了应对对高效电源半导体日益增长的需求，Nexperia计划从2024年6月起在德国启动SiC、GaN和硅（Si）技术的开发与生产。这一战略举措凸显了公司在电气化和数字化领域对关键技术的承诺。SiC和GaN半导体在数据中心等高功率应用中发挥关键作用，同时也是可再生能源和电动车技术的核心组件。这些宽带隙技术对于实现脱碳目标至关重要。

Nexperia德国首席运营官阿希姆·肯普表示：“这笔投资巩固了我们作为能源高效半导体主要供应商的地位，使我们能够更有效地利用电能。我们的汉堡工厂将提供全面的宽带隙半导体产品，同时保持我们在小信号二极管和晶体管领域的领先制造地位。我们将继续生产高质量、具有成本竞争力的半导体，满足标准和高功率应用的日益增长的能源需求和环境挑战。”

高电压D模式GaN晶体管和SiC二极管的生产线预计将于2024年6月开始运营。一项重要里程碑是建立现代化的200毫米SiC MOSFET和低电压GaN HEMT生产线，预计在未来两年内完成。此外，这项投资还将推进汉堡工厂的自动化进程，并通过逐步使用200毫米晶圆，扩大硅生产能力。同时，一座新的研发实验室也在规划中，以确保研究向生产的顺利过渡。

Nexperia的投资预计将有利于当地经济，保护并创造就业机会，同时提升欧盟的半导体自主能力。公司与大学和研究机构紧密合作，分享专业知识，促进技术人才的培训。Nexperia在汉堡及全欧洲建立了强大的研究生态系统，特别是与IMEC纳米电子研究中心的合作，确保GaN技术的持续产品创新和技术领先。

Nexperia德国首席财务官斯特凡·蒂尔格表示：“这笔投资将使我们能够在汉堡设计和生产宽带隙芯片。自2019年以来，我们的产品组合中已包含GaN FET，而在2023年，我们与三菱电机合作，扩展了SiC二极管和SiC MOSFET的产品线。Nexperia是少数能够提供全面半导体技术，以满足多样客户需求的供应商之一。”

这一投资标志着Nexperia汉堡Lokstedt工厂百年历史的重要里程碑。自1924年作为Valvo Radioröhrenfabrik成立以来，该工厂的发展支持了全球约四分之一的小信号二极管和晶体管需求。自2017年Nexperia从NXP分拆以来，公司在汉堡工厂进行了重大投资，员工人数从950人增至约1600人，并将技术基础设施升级到最先进的标准，体现了公司保持行业领导地位并为全球客户提供创新解决方案的承诺。

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